Micron Technology : Les nouveaux produits de mémoire « Ultra » de Micron sont compatibles avec les systèmes automobiles de nouvelle génération

Modules de qualité supérieure ultra-rapides, fiables et résistant aux températures élevées, spécialement adaptés pour l'environnement automobile
Les mémoires DRAM LPDDR4 et NOR Flash parallèles répondent aux besoins de mémoire des véhicules de nouvelle génération 

BOISE, Idaho, le 18 mars 2015 (GLOBE NEWSWIRE) -- Micron Technology, Inc. (Nasdaq : MU), a annoncé aujourd'hui la disponibilité des mémoires DRAM (LPDDR4) DDR4 à faible consommation et NOR Flash parallèles ultra-fiables, ultra-rapides et extrêmement résistantes aux fortes températures afin de répondre aux besoins de mémoire de plus en plus importants des véhicules automobiles sur le marché. La gamme NOR G18 de Micron comprend le module NOR parallèle le plus performant de l'industrie, et les solutions LPDDR4 de Micron spécialement adaptées au secteur automobile sont également une grande première.

Ces nouveaux produits permettent de satisfaire les exigences des applications automobiles qui requièrent une vitesse maximale. Les performance élevées (266 Mo/s) de la gamme G18 permettent une exécution des codes et des démarrages plus rapides pour des applications à densité plus élevée, et le module LPDDR4 a une largeur de bande crête plus élevée de 33 pour cent par rapport au DDR4. De plus, les nouvelles solutions de Micron présentent une fiabilité de longue durée et sont conformes aux exigences de la certification ISO/TS étant donné que la gamme G18 permet un débit trois fois plus rapide que le SPI NOR quad, et que les produits LPDDR4 sont soumis à des tests de rodage additionnels au niveau global. Par ailleurs, les produits de la gamme NOR G18 de Micron ont des options qui permettent de les utiliser dans la plage de températures industrielles (TI) comprise entre -40 et 85 degrés C et dans la plage de températures automobiles pour l'environnement automobile (TAA) comprise entre -40 et 105 degrés C. Les produits LPDDR4 ont des options qui permettent de les utiliser dans la plage de températures industrielles pour l'environnement automobile (TIA) comprise entre -40 et 95 degrés C, ainsi que de futures options qui permettront une utilisation dans la plage de températures automobiles ultra (TAA) comprise entre entre -40 et 125 degrés C, ce qui est la plage de températures d'exploitation la plus grande de l'industrie. Ces options devraient être disponibles en 2016.

« Maintenant que les consommateurs s'attendent à pouvoir bénéficier de la connectivité des smartphones dans les systèmes d'information-divertissement de leur véhicule, ainsi que de fonctionnalités automobiles sophistiquées telles que des systèmes d'aide à la conduite, les besoins de mémoire dans les véhicules connectés augmentent », explique Giorgio Scuro, directeur général de la Division automobile de Micron. « Micron est déterminée à fournir des technologies de pointe en matière de mémoire telles que les modules NOR parallèles et LPDDR4 pour améliorer l'expérience de la conduite. »

« Avec la fonctionnalité de conduite en autopilotage des voitures de nouvelle génération, les semi-conducteurs doivent être conçus spécialement pour l'environnement automobile, qui nécessite des normes plus strictes », explique Luca De Ambroggi, analyste principal pour les semi-conducteurs automobiles chez IHS. « La nouvelle gamme de produits Micron pour le marché automobile a été conçue en gardant ce besoin à l'esprit, afin de les rendre compatibles avec les voitures de nouvelle génération. »

La gamme G18 de Micron

Les solutions NOR Flash parallèles G18 de Micron sont idéales pour les applications automobiles qui nécessitent un stockage et une exécution rapide et fiable des codes quand les millisecondes comptent lors de la mise en marche et après, comme des caméras de rétrovision de systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), qui doivent pouvoir être mis en service extrêmement vite pour être opérationnelles immédiatement. La mémoire NOR Flash G18 fournit des vitesses de lecture pouvant atteindre 266 Mo/s et permet des charges rapides satisfaisant à des besoins de lancement de 200 microsecondes ; elle est également trois fois plus rapide que la mémoire SPI NOR quad. Le module compact NOR Flash G18 assure une tension d'alimentation et d'E/S basse de 1,8 V, ce qui réduit la consommation d'électricité. La gamme G18 comprend également des configurations A/D MUX et AA/D MUX qui réduisent le nombre de billes d'E/S de plus de 50 pour cent par rapport aux produits NOR parallèles traditionnels, ce qui assure la meilleure largeur de bande par broche. En plus de leur compatibilité avec les applications automobiles, les modules de la gamme G18 sont parfaits pour les applications d'automatisation des équipements, de serveurs d'entreprise et de réseautique, d'équipements portables, d'appareils photographiques numériques, d'équipements pour examens médicaux, et bien plus encore.

La gamme Micron de LPDDR4 pour véhicules automobiles 

La gamme de LPDDR4 s'appuie sur la fondation extrêmement efficace de la gamme de LPDDR3 pour produire des améliorations substantielles dans les domaines de la performance, de la puissance, de la latence et de la miniaturisation. Les solutions LPDDR4 de Micron pour véhicules automobiles introduisent une optimisation de la consommation d'énergie tout en fournissant deux fois la largeur de bande des solutions LPDDR3, ce qui en fait une technologie importante pour assurer la compatibilité avec les applications automobiles de nouvelle génération. Les modules LPDDR4 permettent des vitesses de transfert de données pouvant atteindre 4,266 GT/s, ce qui fournit une largeur de bande crête supérieure tout en consommant moins d'énergie par bit que les modules LPDDR3. La vitesse plus élevée de transfert de données d'E/S permet d'accélérer jusqu'à 3 200 Mb/s afin de rendre possible des affichages de résolution pouvant atteindre 4k x 2k et des graphiques tridimensionnels sur les systèmes d'information-divertissement automobile, et elle permet l'utilisation de capacités plus avancées d'ADAS visant à éviter les collisions et à permettre une conduite plus sûre. Ces gains d'efficacité ne s'appliquent pas seulement à la largeur de bande crête, mais aussi aux cas d'utilisation d'une largeur de bande inférieure.

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À propos de la société Micron

Micron Technology, Inc. est l'un des principaux fournisseurs de solutions avancées de semi-conducteurs au monde. Le vaste portefeuille de Micron en matière de technologies de mémoires hautes performances - notamment des mémoires DRAM, NAND et NOR - constitue une base solide pour les SSD, modules de mémoire, modules multipuces et autres solutions systèmes. Grâce à son expérience de plus de 35 ans dans le domaine, Micron met ses solutions de mémoire au service des applications informatiques, des biens de consommation, des besoins en stockage professionnel, des réseaux, et des applications mobiles, embarquées et automobiles les plus innovantes.  Les actions ordinaires de Micron sont cotées au NASDAQ sous le symbole MU. Pour obtenir de plus amples informations sur la société Micron Technology, Inc., veuillez consulter le site Internet suivant : www.micron.com.

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