STMicroelectronics annonce que sa technologie BiCMOS55 en silicium germanium (SiGe) a été sélectionnée par le programme de R&D européen E3Network dédié au développement de systèmes de transmission haute capacité et éco-énergétiques pour réseaux mobiles de nouvelle génération.
Ce programme conçoit un émetteur-récepteur intégré en bande E utilisant la technologie BiCMOS55 de ST pour les infrastructures 'fronthaul' et 'backhaul', ce qui autorise des modulations numériques multi-niveaux, des émissions à faisceaux très étroits et haut niveau de concentration, ainsi que des débits supérieurs à 10 Gbits/s.
'Le faisceau très étroit garantit un haut niveau de réutilisation des fréquences pour le déploiement de liaisons 'fronthaul' et 'backhaul', tout en préservant l'efficacité spectrale dans le domaine millimétrique', précise le fabricant de semiconducteurs.
Mené au sein du septième programme-cadre de l'Union européenne, E3Network ('Energy efficient E-band transceiver for backhaul of future networks') réunit plusieurs sociétés parmi lesquelles STMicroelectronics, CEIT (Espagne), l'Institut Fraunhofer (Allemagne), Alcatel Lucent, le CEA, INXYS (Espagne), OTE (Grèce), SiR (Allemagne) et Sivers IMA (Suède).
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