STMicroelectronics N : fabrique les premières plaquettes en carbure de silicium de 200 mm de diamètre
Le 27 juillet 2021 à 15:24
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STMicroelectronics a annoncé avoir fabriqué les premières plaquettes non épitaxiées (bulk wafers) en carbure de silicium (SiC) de 200 mm (8 pouces) de diamètre destinées au prototypage de composants de puissance de nouvelle génération sur son site de Norrköping (Suède). Le fabricant de semi-conducteurs présente la transition vers des plaquettes SiC en 200 mm comme une étape importante pour renforcer ses capacités de production pour les programmes de ses clients dans les secteurs de l'automobile et de l'industrie.
Elle consolidera la position de leader de STMicroelectronics dans cette technologie microélectronique de rupture qui permet de fabriquer des circuits électroniques de puissance à la fois plus compacts, plus légers et plus efficaces avec un coût total de possession moins élevé.
Cette transition s'inscrit dans le cadre du plan en cours de ST visant à construire une nouvelle usine de substrats SiC et à assurer l'approvisionnement de plus de 40 % de ses substrats SiC en interne d'ici 2024.
STMicroelectronics N.V. figure parmi les leaders mondiaux du marché des semi-conducteurs. Ses clients couvrent toute la gamme de produits de détection et puissance, de composants pour l'automobile et de solutions de traitement embarqué. De la gestion et l'économie d'énergie, à la confidentialité et la sécurité des données, de la santé et le bien-être aux appareils intelligents grand public, chez soi, en voiture ou au bureau, en se divertissant ou en travaillant, les produits ST sont présents partout où la microélectronique apporte une contribution positive et novatrice au quotidien. STMicroelectronics N.V. perfectionne la technologie pour mieux profiter de la vie et impose ainsi son concept de life.augmented.