Démontrant leur engagement à avancer rapidement sur la courbe du leadership technologique, Micron Technology, Inc. (NYSE : MU) et Intel Corporation (NASDAQ : INTC) ont annoncé aujourd'hui la diffusion d'échantillons des premières mémoires flash NAND du secteur fondées sur la technologie de procédé de fabrication à 50 nanomètres (nm) unique dans l'industrie. Les échantillons ont été fabriqués par le biais d'IM Flash Technologies, une joint-venture entre Micron et Intel destinée au développement et à la fabrication. Les deux sociétés travaillent désormais sur des échantillons de mémoires de 4 gigabits (Gb) et planifient pour 2007 une production de masse d'un ensemble de densités sur le n?ud de 50 nm.

Ce passage à la technologie de procédé de fabrication à 50 nm permettra à Intel et Micro de satisfaire la demande croissante en mémoire flash NAND de plus forte densité au sein d'un ensemble d'applications dans le secteur de l'informatique et de l'électronique grand public, notamment baladeurs numériques, stockage amovible et appareils de communication portatifs. D'après les prévisions issues de la recherche du secteur, le segment de marché NAND devrait atteindre entre 13 et 16 milliards de dollars en 2006 et croître jusqu'à environ 25 à 30 milliards de dollars en 2010.

« Micron a pénétré en 2004 sur le marché du NAND en utilisant un procédé de fabrication à 90 nm. En quelques années et grâce à notre collaboration avec Intel, nous sommes à présent sur le point de lancer un produit leader fondé sur une technologie de pointe en matière de procédé de fabrication », a déclaré Brian Shirley, vice-président de Micron en charge des mémoires. « Micron continuera son engagement à développer la technologie NAND avec une transition rapide vers le procédé de fabrication à 50 nm et par le biais d'efforts continus sur les n?uds avancés en vue de lancer des produits de densité encore plus élevée. »

« Notre entrée sur le marché de la mémoire flash NAND a été incroyablement rapide », a déclaré Brian Harrison, vice-président d'Intel et directeur général du groupe Mémoire flash. « Nous avons commencé à expédier des produits à nos clients au cours du premier trimestre de cette année, et nous observons une demande très élevée pour plusieurs densités de mémoire flash. En travaillant avec Micron, nous sommes destinés à effectuer rapidement la transition vers la technologie de procédé de fabrication à 50 nm et au-delà. »

Micron et Intel ont formé IM Flash Technologies (IMFT) en janvier dans le but de fabriquer des mémoires flash NAND pour les deux sociétés. IMFT a augmenté de manière agressive ses capacités de production depuis la formation de la société. Micron fournit actuellement la mémoire NAND de la joint-venture à partir de son site de fabrication de Boise. Le site de 300 nm de Micron situé à Manassas en Virginie sera en mesure plus tard cette année de fournir des NAND à IMFT. Pendant ce temps, le site de Lehi en Utah, qui est dédié à IMFT et lui fait office de siège social, devrait commencer à produire des NAND au début de l'année prochaine.

Intel, le plus grand constructeur de microprocesseurs au monde, est également un fabricant leader de produits dans les domaines de l'informatique, des réseaux et des communications. Pour plus d'informations sur Intel, veuillez consulter le site www.intel.com/pressroom.

Micron Technology, Inc., est l'un des plus importants fournisseurs au monde en matière de solutions avancées de semi-conducteurs. Via ses implantations dans le monde entier, Micron fabrique et commercialise des mémoires DRAM et flash NAND, des capteurs d'image CMOS, d'autres composants semi-conducteurs et des modules de mémoire utilisés dans des produits de pointe dans les secteurs de l'informatique, de l'électronique grand public, des réseaux et des communications mobiles. Les actions ordinaires de Micron sont cotées au NYSE à la bourse de New York sous le symbole MU. Pour en savoir plus sur Micron Technology, Inc. veuillez consulter le site www.micron.com.

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