Mitsubishi Electric Corporation a annoncé qu'elle lancerait le 1er août un module de transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) haute puissance en silicium pour radiofréquence (RF) de 50W destiné à être utilisé dans les amplificateurs de puissance haute fréquence des radios commerciales bidirectionnelles. Ce modèle, qui propose une puissance de sortie de 50W dans la bande 763MHz à 870MHz et un rendement total élevé de 40%, devrait contribuer à étendre la portée des communications radio et à réduire la consommation d'énergie. Les bandes de fréquences 150MHz et 400MHz utilisées pour divers systèmes sans fil sont devenues encombrées en Amérique du Nord et sur d'autres marchés. En réponse, la bande 700MHz, anciennement utilisée pour la télédiffusion analogique, a été réattribuée pour la radio bidirectionnelle commerciale, ce qui augmente la demande de radios prenant en charge cette bande. Cependant, les amplificateurs de puissance conventionnels présentent une perte de puissance importante. Il existe donc un besoin de modules MOSFET RF haute puissance proposant un circuit intégré d'adaptation d'impédance d'entrée/sortie et une performance de puissance de sortie garantie.

Le nouveau MOSFET RF haute puissance en silicium (RA50H7687M1), qui atteint une puissance de sortie inégalée et un rendement total élevé pour les radios commerciales compatibles avec la bande 700MHz, devrait permettre d'étendre la plage de communication et de réduire la consommation d'énergie de ces radios.