Samsung Electronics Co., Ltd. a annoncé le début de la production en masse des boîtiers de DRAM LPDDR5X de classe 12 nanomètres (nm), 12 gigaoctets (Go) et 16 Go les plus fins de l'industrie, consolidant ainsi son leadership sur le marché des DRAM à faible consommation d'énergie. En s'appuyant sur sa grande expertise en matière d'emballage de puces, Samsung est en mesure de fournir des boîtiers DRAM LPDDR5X ultraminces qui peuvent créer de l'espace supplémentaire dans les appareils mobiles, facilitant ainsi la circulation de l'air. Cela facilite le contrôle thermique, un facteur qui devient de plus en plus critique, en particulier pour les applications de haute performance avec des fonctions avancées telles que l'IA sur l'appareil.

Avec les nouveaux boîtiers DRAM LPDDR5X, Samsung propose la DRAM LPDDR de classe 12 nm la plus fine de l'industrie dans une structure à 4 piles1, réduisant l'épaisseur d'environ 9 % et améliorant la résistance à la chaleur d'environ 21,2 % par rapport au produit de la génération précédente. Grâce à l'optimisation des circuits imprimés (PCB) et des techniques de moulage époxy (EMC)2, le nouveau boîtier LPDDR DRAM est aussi fin qu'un ongle, avec 0,65 millimètre (mm), soit le plus fin des DRAM LPDDR existants de 12 Go ou plus. Le processus optimisé de back-lapping3 de Samsung est également utilisé pour minimiser la hauteur du boîtier.

Samsung prévoit de continuer à développer le marché des DRAM à faible consommation d'énergie en fournissant ses DRAM LPDDR5X de 0,65 mm aux fabricants de processeurs mobiles ainsi qu'aux fabricants d'appareils mobiles. La demande de solutions de mémoire mobile haute performance et haute densité dans des boîtiers plus petits continuant à croître, la société prévoit de développer des modules de 24 Go à 6 couches et de 32 Go à 8 couches dans les boîtiers DRAM LPDDR les plus minces pour les futurs appareils.