STMicroelectronics annonce une collaboration avec le fondeur TSMC en vue d'accélérer le développement du procédé technologique en nitrure de gallium (GaN) et la livraison de composants discrets et de circuits intégrés en GaN pour les besoins du marché.

'Dans ce cadre, les produits innovants et stratégiques conçus par ST en nitrure de gallium seront fabriqués en utilisant le procédé technologique avancé en GaN de TSMC', explique le fabricant de semi-conducteurs.

Cette collaboration s'appuyant sur l'expertise de ST sur le marché de l'automobile et le leadership de TSMC en tant que fondeur permettra d'améliorer l'efficacité en large bande pour un meilleur rendement énergétique des applications de conversion de puissance.

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