STMicroelectronicsannonceavoir fabriquéles premièresplaquettesnon épitaxiées (bulk wafers)en carbure de silicium (SiC) de 200 mm de diamètredestinées au prototypage decomposantsde puissancede nouvelle générationsurson site de Norrköping (Suède).

Selon STMicro, il s'agit d'une 'étape importante' qui permettra de renforcerles capacitésde productionpour lesprogrammesdesclients de ST et devrait consolider sa position de leader dans cettetechnologie microélectronique de rupturequi permet defabriquerdescircuits électroniques de puissanceà la foispluscompacts, plus légers et plus efficaces avec un coût total de possessionmoins élevé.

STMicro assure que son leadership dans la technologie SiC 'est lefruitde 25 annéesde travailet d'engagement en R&D, avec plus de 70 brevetsà la clé'.

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