STMicroelectronics N : fabrique les premières plaquettes en carbure de silicium de 200 mm de diamètre
Elle consolidera la position de leader de STMicroelectronics dans cette technologie microélectronique de rupture qui permet de fabriquer des circuits électroniques de puissance à la fois plus compacts, plus légers et plus efficaces avec un coût total de possession moins élevé.
Cette transition s'inscrit dans le cadre du plan en cours de ST visant à construire une nouvelle usine de substrats SiC et à assurer l'approvisionnement de plus de 40 % de ses substrats SiC en interne d'ici 2024.