STMicroelectronics a annoncé avoir fabriqué les premières plaquettes non épitaxiées (bulk wafers) en carbure de silicium (SiC) de 200 mm (8 pouces) de diamètre destinées au prototypage de composants de puissance de nouvelle génération sur son site de Norrköping (Suède). Le fabricant de semi-conducteurs présente la transition vers des plaquettes SiC en 200 mm comme une étape importante pour renforcer ses capacités de production pour les programmes de ses clients dans les secteurs de l'automobile et de l'industrie.

Elle consolidera la position de leader de STMicroelectronics dans cette technologie microélectronique de rupture qui permet de fabriquer des circuits électroniques de puissance à la fois plus compacts, plus légers et plus efficaces avec un coût total de possession moins élevé.

Cette transition s'inscrit dans le cadre du plan en cours de ST visant à construire une nouvelle usine de substrats SiC et à assurer l'approvisionnement de plus de 40 % de ses substrats SiC en interne d'ici 2024.