Tower Semiconductor a annoncé la production de modules frontaux RF (FEM) Wi-Fi 7 basés sur sa technologie RFSOI avancée de 300 mm. En partenariat avec Broadcom Inc, Tower Semiconductor a mis au point des dispositifs FEM Wi-Fi entièrement intégrés sur une seule puce RFSOI. Cette solution innovante offre des performances et une efficacité supérieures à celles des technologies non-SOI existantes, établissant ainsi une nouvelle norme sur le marché des applications mobiles avancées.

Ce processus hautement intégré réduit la surface de la puce malgré la complexité liée à la prise en charge de nouvelles fonctions et bandes de fréquence. La plate-forme technologique RFSOI de Tower offre les meilleures performances de sa catégorie en matière de commutateurs et de LNA sur silicium, comme en témoigne son adoption généralisée. L'intégration d'un dispositif PA dans cette technologie élimine la perte de signal supplémentaire due à la propagation des signaux entre des matrices séparées, tandis que le substrat SOI à haute résistivité améliore l'efficacité du PA en supportant des éléments passifs tels que des inductances avec un facteur de qualité plus élevé.