Valorisation: Fitzroy Resources Ltd

Capitalisation 22,67 M 15,64 M 13,74 M 12,64 M 11,78 M 22,22 M 1,49 Md 152 M 58,92 M 730 M 58,74 M 57,47 M 2,54 Md PER 2024
-25,1x
PER 2025 -4,81x
Valeur d'entreprise 12,6 M 8,7 M 7,64 M 7,03 M 6,55 M 12,35 M 827 M 84,54 M 32,75 M 406 M 32,65 M 31,95 M 1,41 Md VE / CA 2024
16 358x
VE / CA 2025 -
Flottant
80,34 %
Rendement 2024 *
-
Rendement 2025 -
Dirigeant TitreAgeDepuis
Investor Relations Contact 60 07/12/2015
Secrétaire Général 63 11/05/2015
Administrateur TitreAgeDepuis
Directeur/Membre du Conseil - 07/12/2015
Directeur/Membre du Conseil 59 07/12/2015
Président 60 18/09/2023
Varia. Varia. 5j. Varia. 1an Varia. 3ans Capi.($)
-10,62 %+3,49 %+4 381,19 % - 337 Md
-6,32 %-10,79 %+835,10 %+1 477,56 % 220 Md
+1,05 %-0,91 %+46,77 %+104,69 % 30,32 Md
-2,09 %+6,61 %+33,97 %+109,51 % 26,19 Md
+0,84 %+6,70 %+749,03 %+1 080,30 % 20,74 Md
-2,48 %-16,45 %+577,82 %+415,83 % 4,89 Md
-3,27 %+3,91 %+197,82 %+92,48 % 2,25 Md
-7,47 %+5,95 %+305,06 %-20,17 % 1,03 Md
0,00 %-0,26 %-12,63 %+4,45 % 678 M
Moyenne -3,32 %+2,30 %+790,46 %+408,08 % 71,44 Md
Moyenne pondérée par Capi. -7,56 %+6,81 %+2 613,66 %+1 162,34 %

Finances

2024 2025
Chiffre d'affaires 8,05 k 5,56 k 4,88 k 4,49 k 4,18 k 7,89 k 528 k 54 k 20,92 k 259 k 20,86 k 20,41 k 902 k -
Résultat net -5,45 M -3,76 M -3,3 M -3,04 M -2,83 M -5,34 M -358 M -36,56 M -14,17 M -176 M -14,12 M -13,82 M -611 M -9,68 M -6,68 M -5,86 M -5,4 M -5,03 M -9,49 M -635 M -64,92 M -25,15 M -312 M -25,08 M -24,53 M -1,08 Md
Endettement Net -7,63 M -5,27 M -4,62 M -4,26 M -3,97 M -7,48 M -501 M -51,2 M -19,84 M -246 M -19,78 M -19,35 M -856 M -10,07 M -6,95 M -6,1 M -5,61 M -5,23 M -9,87 M -660 M -67,53 M -26,16 M -324 M -26,08 M -25,52 M -1,13 Md
Logo Fitzroy Resources Ltd
4DS Memory Limited est une société de développement de semi-conducteurs basée en Australie. La société se consacre à la recherche et au développement de technologies de mémoire non volatile, et fait figure de pionnière dans le domaine des mémoires à accès aléatoire résistives à commutation d'interface (ReRAM), qui se caractérisent par une persistance réglable et une faible consommation d'énergie par bit, destinées aux applications de processeurs à forte intensité de calcul et d'intelligence artificielle (IA). Cette ReRAM permet à la cellule de mémoire de basculer entre un état à haute résistance (HRS) et un état à faible résistance (LRS). Cet état est ensuite lu par le circuit de mémoire afin de déterminer si la cellule est programmée sur un 1 ou un 0, au sens numérique du terme. Elle détient un portefeuille de protocoles Internet (IP) brevetés, comprenant 34 brevets américains délivrés, qui a été développé en interne pour créer une mémoire de classe stockage à haute densité. Les brevets délivrés sont détenus à 100 % par la société.
Employés
-
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