NVE Corporation annonce ses résultats pour le troisième trimestre et les neuf mois terminés le 31 décembre 2022
Le 25 janvier 2023 à 22:15
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NVE Corporation a publié ses résultats pour le troisième trimestre et les neuf mois se terminant le 31 décembre 2022. Pour le troisième trimestre, la société a déclaré un chiffre d'affaires de 7,4 millions USD, contre 6,29 millions USD un an plus tôt. Le bénéfice net s'est élevé à 4,23 millions USD, contre 3,47 millions USD un an plus tôt. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies s'élève à 0,88 USD, contre 0,72 USD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action des activités poursuivies s'est élevé à 0,88 USD, contre 0,72 USD l'année précédente. Pour les neuf mois, le chiffre d'affaires s'est élevé à 25,46 millions de dollars, contre 20,27 millions de dollars un an plus tôt. Le bénéfice net s'est élevé à 14,46 millions de dollars, contre 10,69 millions de dollars l'année précédente. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies s'élève à 2,99 USD, contre 2,21 USD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action des activités poursuivies s'est élevé à 2,99 USD, contre 2,21 USD l'année précédente.
NVE Corporation développe et vend des appareils qui utilisent la spintronique, une nanotechnologie qui s'appuie sur le spin des électrons pour acquérir, stocker et transmettre des informations. La société fabrique des produits spintroniques, notamment des capteurs et des coupleurs utilisés pour acquérir et transmettre des données. Elle a également concédé une licence pour sa technologie de mémoire vive magnétorésistive (MRAM). Ses pièces sont principalement utilisées dans des applications industrielles, scientifiques et médicales, ainsi que dans l'Internet industriel des objets. Les produits de la société comprennent des capteurs, des coupleurs et des produits MRAM. Ses capteurs détectent l'intensité ou le gradient des champs magnétiques et sont souvent utilisés pour déterminer la position ou la vitesse. Ses coupleurs spintroniques combinent un élément de capteur à magnétorésistance géante (GMR) et une bobine microscopique. La MRAM utilise la spintronique pour stocker des données. Elle combine la vitesse de la mémoire statique à accès aléatoire (SRAM), la densité de la mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) et la non-volatilité de la mémoire flash.
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