Everspin Technologies, Inc. annonce ses résultats pour le deuxième trimestre et le semestre clos le 30 juin 2023
Le 02 août 2023 à 22:08
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Everspin Technologies, Inc. a publié ses résultats pour le deuxième trimestre et le semestre clos le 30 juin 2023. Pour le deuxième trimestre, la société a déclaré un chiffre d'affaires de 15,75 millions USD, contre 14,71 millions USD il y a un an. Le bénéfice net s'est élevé à 3,89 millions USD, contre 1,67 million USD l'année précédente. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies était de 0,19 USD, contre 0,08 USD il y a un an. Le bénéfice dilué par action des activités poursuivies est de 0,18 USD contre 0,08 USD il y a un an. Pour le semestre, le chiffre d'affaires s'est élevé à 30,59 millions d'USD, contre 29,05 millions d'USD l'année précédente. Le bénéfice net s'est élevé à 4,65 millions d'USD, contre 3,61 millions d'USD il y a un an. Le bénéfice de base par action des activités poursuivies s'est élevé à 0,23 USD, contre 0,18 USD l'année précédente. Le bénéfice dilué par action des activités poursuivies s'est élevé à 0,22 USD, contre 0,17 USD l'année précédente.
Everspin Technologies, Inc. fournit des solutions de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM). Les solutions MRAM de la société offrent une mémoire non volatile avec la vitesse et l'endurance de la mémoire vive (RAM) et permettent de protéger les données critiques, en particulier en cas de coupure de courant ou de panne. Son portefeuille de technologies MRAM comprend la Toggle MRAM et la Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Les produits Toggle MRAM sont dotés d'interfaces standard, notamment des interfaces parallèles, SPI (Serial Peripheral Interface) et QSPI (Quad SPI). Sa technologie STT-MRAM fournit des produits pour les applications de mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM), SRAM et NOR Flash. Elle propose ses produits avec des interfaces dérivées DDR3 et DDR4, ce qui facilite le remplacement de la DRAM sur batterie par la STT-MRAM. Ses capteurs 3D à magnétorésistance à effet tunnel (TMR) offrent une grande sensibilité magnétique dans un composant unique qui effectue des mesures de champ magnétique en 3D dans une solution monolithique.
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