Navitas Semiconductor et SHINRY ont annoncé l'ouverture d'un laboratoire de recherche et développement commun pour accélérer le développement de systèmes d'alimentation pour les véhicules à nouvelle énergie (NEV) grâce à la technologie GaNFast ? de Navitas. GaNFast ? de Navitas.

Le nitrure de gallium (GaN) de nouvelle génération remplace les puces de puissance au silicium en raison de ses caractéristiques supérieures en matière de haute fréquence et de haut rendement. Le GaN permet une charge et une accélération plus rapides ainsi qu'une plus grande autonomie, ce qui accélère l'adoption des NEV par le marché et la transition des combustibles fossiles vers des énergies propres et renouvelables. Le laboratoire commun accélère les projets de développement, la technologie GaN s'associant à des compétences innovantes en matière de conception de systèmes et à des talents d'ingénierie pour permettre une densité de puissance élevée sans précédent, des conceptions légères et efficaces qui se traduisent par une charge plus rapide et une plus grande autonomie, avec un délai de mise sur le marché plus court.

Le laboratoire commun réunit des ingénieurs expérimentés et hautement professionnels de Navitas et de SHINRY pour créer des plates-formes de R&D efficaces et collaboratives. Le centre de conception de systèmes EV de Navitas, situé à Shanghai, fournira une assistance technique complète au laboratoire commun. Navitas ne se contentera pas de fournir à SHINRY des dispositifs d'alimentation de pointe et fiables, mais s'engagera également dans la R&D au niveau du système, depuis les étapes initiales de la spécification et de la conception du produit jusqu'aux plates-formes d'essai et aux solutions d'emballage personnalisées.

Il en résultera des systèmes d'alimentation plus efficaces, plus denses en énergie, plus fiables et plus rentables pour les véhicules à usage unique.