STMicroelectronics et Sanan Optoelectronics ont annoncé la signature d'un accord pour la création d'une nouvelle JV de fabrication de composants en carbure de silicium de 200 mm à Chongqing, en Chine. La nouvelle usine de SiC devrait commencer à produire au quatrième trimestre 2025 et la production totale est prévue pour 2028, afin de répondre à la demande croissante en Chine pour l'électrification des voitures ainsi que pour les applications industrielles dans le domaine de l'énergie et de la puissance. Parallèlement, Sanan Optoelectronics construira et exploitera séparément une nouvelle usine de fabrication de substrats SiC de 200 mm pour répondre aux besoins de l'entreprise commune, en utilisant son propre procédé de fabrication de substrats SiC.

L'entreprise commune fabriquera des dispositifs SiC exclusivement pour STMicroelectronics, en utilisant la technologie de fabrication SiC propre à ST, et servira de fonderie dédiée à ST pour répondre à la demande de ses clients chinois. Le montant total de la mise en place de l'entreprise commune devrait s'élever à environ 3,2 milliards de dollars, y compris des dépenses d'investissement d'environ 2,4 milliards de dollars au cours des cinq prochaines années, qui seront financées par des contributions de STMicroelectronics et de SananOptoelectronics, des aides du gouvernement local et des prêts à l'entreprise commune. La réalisation du projet est soumise à l'obtention des autorisations réglementaires.