Kioxia Corporation et Western Digital Corporation ont célébré l'ouverture de l'installation de fabrication de semi-conducteurs, Fab7, à l'usine de Yokkaichi dans la préfecture de Mie, au Japon. La capacité de production de Fab7 augmentera par étapes au fil du temps, en fonction des tendances du marché. L'investissement total dans la phase un de Fab7 devrait s'élever à environ un trillion de yens.

Une partie de l'investissement en capital de la phase un de l'installation Fab7 sera financée par une subvention gouvernementale qui encourage les installations de production de semi-conducteurs de pointe et assure la stabilité de la production de semi-conducteurs au Japon. Fab7 a la capacité de produire des mémoires flash de sixième génération à 162 couches et de futures mémoires flash 3D avancées, et devrait commencer à livrer des mémoires flash à 162 couches au début de 2023. L'installation fait appel à l'intelligence artificielle pour améliorer l'efficacité de la production et utilise une conception d'installation économe en espace qui agrandit l'espace disponible pour les équipements de fabrication dans ses salles blanches. Fab7 est construite pour la sécurité et la durabilité, capable d'absorber les chocs sismiques et met en œuvre les derniers équipements de fabrication économes en énergie.