DB HiTek a annoncé son intention d'étendre ses activités dans le domaine des circuits frontaux RF en sécurisant les processus RF SOI (Silicium sur Isolant) et RF HRS (Substrat à Haute Résistivité) basés sur la technologie 130nm/110nm. Le frontal RF est un produit obligatoire pour la communication sans fil qui est responsable de la transmission (Tx) et de la réception (Rx) entre les dispositifs informatiques, et s'applique diversement aux domaines de communication, y compris les smartphones et l'IoT, etc. En général, chaque composant tel qu'un tuner d'antenne, un commutateur, un amplificateur à faible bruit (LNA) et un amplificateur de puissance (PA) est assemblé sur le produit. L'importance du frontal RF augmente progressivement, tandis que la demande de communications de haute qualité, à haute fréquence et à haute sensibilité augmente avec le développement de la technologie de communication sans fil vers la 5G. En conséquence, le marché des interfaces RF devrait connaître une croissance rapide, passant de 12,4 milliards USD en 2019 à 21,7 milliards USD en 2025. Parmi les nombreuses parties du frontal RF, DB HiTek se concentre spécifiquement sur le commutateur et le LNA (Low Noise Amplifier). Le commutateur est responsable de l'activation et de la désactivation de l'émission et de la réception de la fréquence, tandis que le LNA est le produit central des communications à haut débit comme la 5G, car il transfère un signal plus précis en amplifiant la fréquence. DB HiTek a radicalement amélioré les caractéristiques en ajoutant des plaquettes SOI et HRS qui bloquent ou minimisent le courant de fuite par rapport au processus de masse RF précédent. En particulier, dans le cas du processus SOI RF basé sur la technologie 130nm, DB HiTek a obtenu les meilleures caractéristiques au monde pour le commutateur FOM (Figure of Merit) de 84fs, BV (Breakdown Voltage) de 4.4V. Le LNA est disponible pour supporter une fréquence de coupure (Ft) jusqu'à 120GHz, et pourra supporter jusqu'à plus de 150Ghz dans la première moitié de 2022. Le processus RF HRS (High Resistivity Substrate, >1Kohm) basé sur la technologie 110nm présente une excellente compétitivité en termes de prix. Le commutateur FOM est de 164fs et BV est de 4.6V, et le LNA peut supporter la fonction de fréquence de coupure de 100GHz. Les produits LNA de 150GHz ou plus sont en cours de développement pour un support dans la première moitié de 2022. DB HiTek s'efforce de soutenir ses clients afin de permettre aux clients sans usine de pénétrer sur le marché des produits frontaux RF au bon moment. En particulier, DB HiTek opère trimestriellement le MPW afin d'économiser les ressources des entreprises clientes.