Soitec et Tokai Carbon ont conclu un partenariat stratégique pour le développement et la fourniture de substrats en carbure de silicium polycristallin spécifiquement conçus pour les plaques SmartSiCTM de Soitec. Le carbure de silicium est un semi-conducteur composé révolutionnaire et les substrats SmartSiCTM accélèrent l'adoption du carbure de silicium pour la mobilité électrique, les applications industrielles et les réseaux électriques intelligents en offrant une meilleure efficacité de fabrication et de coût avec une empreinte environnementale améliorée. Dans le cadre de ce partenariat, Tokai Carbon fournira à Soitec des plaques de poly-SiC de 150 et 200 mm, et les deux entreprises mettront à profit leurs capacités de R&D pour améliorer l'écosystème SmartSiCTM.

La technologie avancée et la capacité de production de Tokai Carbon dans le domaine du carbure de silicium polycristallin (polySiC), combinées au droit d'utiliser les spécifications de Soitec pour les plaques de polySiC conformes au SmartSiCTM de Soitec, devraient apporter une contribution stratégique à la montée en puissance de la production de plaques SmartSiCTM dans le monde entier.