HPQ Silicon Inc. a informé ses actionnaires d'un récent dépôt de brevet lié à son "initiative de matériau d'anode à base de silicium". HPQ a déposé une nouvelle demande de brevet provisoire en France concernant un procédé de fabrication en continu d'oxyde de silicium (SiOx) basé sur une conception PUREVAPTM QRR modifiée. Conformément à la loi française, HPQ a acquis tous les droits détenus par les inventeurs pour un montant de 90 000,00 CAD. Le brevet protège une configuration unique de la technologie QRR qui permet la production de SiOx sur le même équipement.

Le nouveau procédé breveté présente un avantage significatif par rapport au procédé standard dans la mesure où il permet une production continue de SiOx, alors que ce dernier est produit par lots. Le procédé proposé peut être appliqué au QRR sans modification majeure de la conception du réacteur, ce qui réduit les risques de développement technologique. En outre, il convient de noter que le prix du SiOx est environ 2 à 3 fois plus élevé que celui du silicium de même pureté.

Les sous-oxydes de silicium (SiOx) sont un matériau d'anode prometteur avec une grande capacité de stockage du lithium. L'ajout de petites quantités d'oxyde de silicium aux électrodes composites en graphite est devenu une tendance importante dans l'industrie des batteries au lithium. Cela a stimulé la demande de matériaux d'anode à base de silicium, qui devrait atteindre une demande potentielle de 300 000 tonnes d'ici à 2030.

Le prix de vente des matériaux d'anode à base de silicium varie entre 30 et 50 USD par kg.